Исторический альманах, портал коллекционеров информации, электронный музей 'ВиФиАй' work-flow-Initiative 16+
СОХРАНИ СВОЮ ИСТОРИЮ НА СТРАНИЦАХ WFI Категории: Актуальное Избранное Telegram: Современная Россия
Исторический альманах, портал коллекционеров информации, электронный музей

Путь:

Навигация


Язык [ РУССКИЙ ]

Поиск
Подписка и соц. сети

Подписаться на обновления сайта


Поделиться

Яндекс.Метрика

Новые материалы

Картинка недели

К началуК началу
В конецВ конец
Создать личную галерею (раздел)Создать личную галерею (раздел)
Создать личный альбом (с изображениями)Создать личный альбом (с изображениями)
Создать материалСоздать материал

ВКД-200-2 -55

Оценка раздела:
Не нравится
0
Нравится

Категории

ВКД-200-2 -55 picture(30776)

Дата публикации: До 2014-05-28
Просмотров: 4871
Автор:
Обсуждение изображения из альбома: ВКД-200-2 -55
Источник: источники_информации *155la3

Обсуждение изображения

Оценка изображения
Нравится
0
Не нравится
Описание изображения: Изображение ВКД-200-2 .55 Советские электронные компоненты

ВКД-200-2 -55

- Актив - ВКД-200-2 .55 ВКД-200-2 .55 Первый советский вентиль по диффузионной технологии. Началопроизводства - 1966 год (Таллинский электротехнический завод). Силовой диффузионный диод, номинальный ток 200 Ампер (среднеезначение), номинальное напряжение 200 В, среднее значение напряжения воткрытом состоянии 0,55 Вольт. Производитель - Электровыпрямитель (Саранск). В литературе я нашёл два разных варианта конструкции этих вентилей Рабочим элементом является кристалл кремния 1 с р- и n-слоями и p-n-переходоммежду ними. Слой р создается в исходном монокристалле кремния n-проводимости (представляющемсобой диск диаметром от 10 до 20—25 мм и толщиной 0,35—0,4 мм) введениемакцепторных примесей (алюминия и бора) путем диффузии на глубину, примерноравную 0,1—0,15 мм. Так как кристалл кремния столь небольшой толщинымеханически непрочен, то во избежание деформаций и трещин при колебанияхрабочей температуры к кристаллическому диску (до его присоединения к медным теплоотводам)припаиваются снизу и сверху пластинки 3 из никелированного вольфрама илимолибдена, коэффициент расширения которых близок к коэффициентурасширения кремния. Эти пластины называют термокомпенсирующими.Через нижнюю термокомпенсирующую пластину вентильный элемент припаивается кмедному основанию корпуса 5 , чем обеспечивается высокая тепло- иэлектропроводность. Медное основание выполняет одновременно функции внешнего вывода откатода 2 , а анодным выводом служит медный жгут 4 , припаиваемый к втулке, изолируемой откорпуса стеклянным изолятором 6 (изолятор припаивается к металлу).    Защита кристалла от атмосферных воздействий (антикоррозийная стойкость)достигается герметизированием корпуса и введением защитного покрытия торцов кристалла(эпоксидной смолой). 1 - основание вентиля (головка болта); 2 - фторопластовое уплотнительное кольцо; 3 - кремниевый выпрямляющий элемент (p-n-переход); 4 - гибкий вывод; 5 - крышка корпуса; 6 - изолирующее стеклянное кольцо; 7 - внутренний стальной стакан; 8 - наружный стакан; 9 - гибкий катодный вывод; 10 - анодная шпилька   Прямая ветвь вольт-амперной характеристики диода Зависимость пробивного напряжения от температуры   Зависимость допустимой мощности потерь от скоростиохлаждающего воздуха при различных температурах перегрева 1 - Т = 40°С; 2 - Т = 60°C; 3 - Т = 80°С; 4 - Т = 100°C; 5 - Т = 120°С Допустимая тепловая нагрузкапри воздушном охлаждении и разных скоростях охлаждающего воздуха   Перегрузочная способность вентиля ВКД-200 в условиях принудительноговоздушного охлаждения (v=15м/с) при различных температурах корпуса прибора в моментывремени, предшествующие началу перегрузки 1 - Тк = 80°C; 2 - Тк = 100°C; 3 - Тк = 120°С При необходимости замены, завод рекомендует применять Д161-200Х-2. Статья о технологии производства вентилей ВКД. Источники: 1. Бирзниек Л. Полупроводниковые преобразователи. Пер. с латыш.М., "Энергия", 1967 (Б-ка электромонтера. вып.227). 2. Лила А. Доневска, Росица Й. Дойчинова. Полупроводникови прибори.Учебник за техникумите по електротехника, специалност "електронна техника",профил "полупроводникова техника". Издателство "Техника", София, 1970.
Альбом: ВКД-200-2 -55
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 13505
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений ВКД-200-2 -55
Крупный план: Изображения крупным планом ВКД-200-2 -55
Альбом: ВКД-200-2 -55
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 13505
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений ВКД-200-2 -55
Крупный план: Изображения крупным планом ВКД-200-2 -55

Купить: ВКД-200-2 -55

Добавить в корзину \ найти поставщика \ оформить заказ

Действия над галереей \ выбранными изображениями

Остальные материалы раздела: ВКД-200-2 -55

Оставить комментарий

Новые альбомы:


Разработка страницы завершена на 0%
Используйте средства защиты! Соблюдайте гигиену! Избегайте посещения людных мест!
Операции:
WFI.lomasm.ru исторические материалы современной России и Советского Союза, онлайн музей СССР
Полезные советы...