Путь:
Навигация
- 008
- 03УП-1
- 04 ФН1
- 04АП РХ3-425-003
- 04АП001
- 04АП003
- 04АП005
- 04АП02
- 04АП03
- 04АФ003
- 04АФ004
- 04АФ005
- 04АФ006
- 04ВБ РХ3-430-038
- 04ГС022
- 04ГФ010
- 04ГФ011
- 04ДА01
- 04ДА3
- 04ДП006
- 04ЕМ001
- 04ЕМ002
- 04ЕМ005
- 04ЕМ006
- 04ЕМ008
- 04ЕН004
- 04ЕН013
- 04ЕУ11
- 04ЕУ12
- 04ЕУ13
- 04ИД001
- 04ИК001
- 04ИК004
- 04ИК006
- 04ИП007
- 04КН009
- 04КН01
- 04КН010
- 04КН017
- 04КН18Б
- 04КП02
- 04МП004
- 04НР02
- 04ПВ001
- 04ПМ11
- 04ПМ12
- 04ПМ17-01
- 04ПМ25
- 04ПМ26
- 04ПМ27
- ... еще 1973
Язык [ РУССКИЙ ]
Поиск
Продвинутый поиск
Новые материалы
- Зимняя олимпиадная школа или кружок: что выбрать в 8–11 классе 2026-09-18
- Алкогольный психоз: признаки и действия близких 2026-09-18
- Был ли Гапон провокатором 2026-09-16
- Год завершится - и правда подтвердится 2026-09-16
- Пока такие есть, надежда остается 2026-09-15
- Межовка сильна школой 2026-09-14
- Наш кадровый потенциал - вузовский 2026-09-14
- Губернатор гостями доволен 2026-09-14
- Зачем элите конкуренты? 2026-09-14
- Наша Золушка в Кремле 2026-09-14
- Как подготовить историческую заметку и не потерять связь с источниками 2026-09-11
- Седьмая симфония Шостаковича в Новосибирске 2026-09-11
- Общению нужно учиться 2026-09-11
- Новое - не всегда хорошо забытое старое 2026-09-10
- НПЗ По европейским стандартам 2026-09-10
Картинка недели
1В579
Оценка раздела:
0
Категории
1В579 picture(22840)
Дата публикации: До 2014-05-28Просмотров: 2911
Автор: admin
Обсуждение изображения
Оценка изображения
0
Описание изображения: Изображение 1В579 Советские электронные компоненты
1В579
- Актив - 1В579 1В579 (он же - R150) (образец с платы компьютера "Эльбрус-90-микро") Микропроцессор производства МЦСТ ,аналог SuperSPARC. Основан на RISC-архитектуре (SPARCV8), технологический процесс 0,35 мкм, тактоваячастота 150 МГц, с одним конвейером команд. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти иустройствами ввода/вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина МBus -высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров вмногопроцессорных структурах. Характеристики микросхемы Размер слов 32 Объем кэш-памяти: L1 IC - 8 Кбайт (2 way) L1 DC - 16 (4 way) L2 C - 1 Мбайт Пропускная способность L2С - 1,2 Гбайт/с Пропускная способность шины MBus - 0,4 Гбайт/с Число транзисторов - 2,8 млн Площадь кристалла - 100 мм 2 Количество слоев металла - 4 Корпус BGA, количество выводов 480 Напряжение питания 3,3 В Рассеиваемая мощность <4 ВтАльбом: 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9906
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9906
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Альбом: 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9906
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9906
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Купить: 1В579
Действия над галереей \ выбранными изображениями
Остальные материалы раздела: 1В579
Оставить комментарий
Новые альбомы:
Соседние разделы

_1в579.jpg)
_1в579.jpg)


