П1А-П1Е

Оценка раздела:

0

Категории

П1А-П1Е picture(28000)

Дата публикации: До 2014-05-28
Просмотров: 1215
Автор: admin

Обсуждение изображения из альбома: П1А-П1Е
Источник: источники_информации *155la3

Обсуждение изображения

0

picture(28000)

Оценка изображения

0

Описание изображения: Изображение П1А - П1Е Советские электронные компоненты

П1А-П1Е

- Актив - П1 П1А - П1Е Первые советские плоскостные транзисторы. Разработка их была начата в начале 1953 года; первая НИР по плоскостным (слоистым)триодам называлась "Плоскость". Серийное производство начато в 1955 году(первые выпуски назывались КСВ-1, КСВ-2; впрочем встречаются и иные номера, к примеру КС-В5= П1Д и КС-В6 = П1Е), прекращено к 1960 году.Варианты П1Ж и П1И, более высокочастотные, появились немного позже, в 1956 году. Характеристики их были более чемскромные - диапазон частот до сотен килогерц, максимальный ток 5 мА, напряжение до 20 В. Справочный лист на них. Производитель - "Светлана" ,Санкт-Петербург. Разработка этого транзистора протекала не очень гладко. "Первым транзистором, которомупредстояло стать массово выпускаемым, был разработанный А.В.Красиловым в московском НИИ-35 (ныне НПП «Пульсар») транзистор П1. Это был сплавной прибор в паяном металлостеклянном корпусе. Индиевые электроды эмиттераи коллектора вплавлялись друг против друга с противоположных сторон в тонкий германиевый кристалл. Выводы от них выводилисьчерез трубки, впаянные в стеклянные изоляторы корпуса. Две половинки корпуса соединялись завальцовкой и герметизировалисьпайкой низкотемпературным сплавом. Выводы, проходящие в трубках корпуса, герметизировались другим низкотемпературным сплавом.Сложность была в том, что температура плавления индия всего 150°С. Четыре последовательно производимые операциипайки кристалла к основанию, выводов из "плющенки" (проволока, расплющенная валками в ленту) к электродам,герметизация шва завальцовки и, наконец, герметизация мест выхода этих выводов из корпуса с одновременной припайкойвнешних выводов создавали массу возможностей для брака! Технология создания p-n-переходов в кристалле была практически лабораторного уровня.Муфельного типа печи, электроды транзистора, дозируемые из проволоки вручную, графитовые кассеты, в которых производиласьсборка и формирование p-n-переходов, - эти операции требовали точности, но графит точности дать не мог.Время процессов контролировалось секундомером. Вес это не способствовало высокому выходу годных кристаллов.Он и был поначалу от нуля до 2-3% от запуска. А ведь "Светлана" на вакуумных лампах привыкла к 80-90%! Не способствовала высокому выходу и «производственная обстановка».Вакуумная гигиена, к которой привыкла "Светлана", для производства полупроводниковых приборов была недостаточна.Это же относилось и к чистоте газов, воды, воздуха, атмосферы на рабочих местах и6 цехе, и к чистоте применяемых материалов, и к чистоте тары, и к чистоте полов и стен. Наши требования встречали непонимание. На каждомшагу руководители нового производства натыкались на искреннее возмущение служб завода: «Все вам даем, а вам все не то!». Не один месяц прошел, пока заводской коллектив усвоил и научился выполнять необычные,"избыточные", как тогда казалось, требования новорожденного цеха." [11] Их корпус, герметизированный пайкой и завальцовкой, был недостаточно герметичен,поэтому они были недолговечны. Интересна история возникновения такого корпуса -"...Наш первый прибор вышел довольно нескладным, поскольку работая среди вакуумщиковво Фрязино, мы мыслили себе конструкции как-то иначе. Наши первые НИРовские образцы тоже былисделаны на стеклянных ножках с вваренными выводами, и очень трудно было понять,как эту конструкцию герметизировать. Конструкторов у нас не было, как, впрочем,и никакого оборудования. Не удивительно, что первая конструкция приборов была очень примитивной,безо всякой сварки. Была только закатка, и делать их было очень трудно..."[12]. Базовый контакт изготовлялся одновременно со сплавлением индиевых электродов(коллектора и эмиттера). В кассету закладывалось никелевое или коваровое колечко,залуженное оловом с присадкой сурьмы. Это колечко являлось впоследствии кристаллодержателем,т.е. основным элементом, на котором собирался транзистор. (фото с форума Отечественнаярадиотехника XX века ) (фото с форума Отечественнаярадиотехника XX века ) Источники: 1. Технические данные отечественных кристаллических приборов- "Радио", 1955, №6 2. Электровакуумные приборы (Справочник). - М.-Л. Государственное энергетическое издательство, 1956. 3. А. М. Бройде. Справочник по электровакуумным и полупроводниковымприборам. - М.-Л. Государственное энергетическое издательство, 1957. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 269). 4. А. М. Бройде. Справочник по электровакуумным и полупроводниковымприборам (Издание сокращенное, без характеристик и габаритных чертежей). - М.-Л.Государственное энергетическое издательство, 1957. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 276). 5. Полупроводниковые триоды в радиотехнических схемах (Сборник переводов санглийского). Военное издательство Министерства Обороны Союза ССР. Москва - 1958. 6. Справочник радиолюбителя. Издание второе. Под общей редакцией А. А. Куликовского. - М.-Л.: Госэнергоиздат,1958 (Массовая радиобиблиотека, вып. 286) 7. Я. А. Федотов, Ю. В. Шмарцев. "Транзисторы", Издательство "Советское Радио", Москва - 1960 8. Гурлев Д.С. Справочник по электронным приборам. К.: "Государственное издательство технической литературы УССР", 1962. 9. Д. С. Гурлев. Справочник по электронным приборам. Издание третье,дополненное.- Киев, издательство "Технiка", 1964. 10. Атанас Шишков. Транзистори и диоди. Кратък справочник.Второ допълнено издание. София, Държавно издателство "Техника". 1981. 11. Очерки истории российской электроники. Выпуск 3. Истоки российской электроники. К 120-летию ОАО "Светлана" / Под ред. В.М. Пролейко, В.В. Попова. М.: Техносфера, 2009. 12. Виртуальныйкомпьютерный музей - "Сусанна Гукасовна Мадоян создательница первого полупроводникового триода в СССР" .

Альбом: П1А-П1Е
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 17 Всего просмотров альбома: 39123
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений П1А-П1Е
Крупный план: Изображения крупным планом П1А-П1Е

Страница: 0 1