МОН

Оценка раздела:

МОН

- Пассив - МОН МОН (М)еталло(О)кисные (Н)изкоомные. Содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя двуокиси олова,нанесенного на поверхность керамического стержня.Одно время эта технология считалась весьма перспективной, так как термостойкость проводящих пленок унеё более высокая, чем у пленок металлов и сплавов, а технологический процесс получения проводящих элементовобеспечивает непрерывное поточное производство изделий. Справочный лист на них из отраслевого каталога 1970 года. Производитель - Псковский завод радиодеталей (ныне ОАО "Плескава" ). Интересно, что в справочниках помимо обычного, выводного варианта ("а")встречаются и безвыводные "б" и "в"... никогда не встречал таких вживую... Электрические параметры Диапазон выпускаемых номиналов - 1 ... 100 Ом Максимально допустимая рассеиваемая мощность - 0,5 1 и 2 Вт Предельное напряжение - 7, 10 и 15 В (соответственно мощности) Рабочая температура -60 ... +125°С(варианты "б" и "в" до +200°С) Температурный коэффициент сопротивления не более + 5х10 -4 /°С Вероятность безотказной работы в течении 1000ч - 0,99 Гарантийный срок службы - 5000ч Технология производства Осаждение пленок двуокиси олова на стеклянные и керамические основания производится химическим путем из хлористых соединенийSnCl 2 и SnCl 4 . Кристаллы хлористого олова подвергают гидролизу при 720—730° К.В камеру, нагретую до такой же температуры, впускают пары, образующиеся при гидролизеSnCl 2 . При этом на поверхности вращающихся оснований, помещенных в камеру, образуется пленка двуокиси олова: SnCl 2 + H 2 O -> SnO + 2HCl 2SnO + O 2 -> 2SnO 2 2SnO -> Sn + SnO 2 При использовании четыреххлористого олова его водный раствор с помощью пульверизатора наносится на основания,нагретые до температуры 800—890° К. При этом происходит реакция SnCl 4 + 2H 2 O -> SnO 2 + 4HCl Тонкие пленки двуокиси олова с высокой проводимостью и хорошей стабильностью получают термическим разложениемраствора следующего состава: 40 вес. ч. четыреххлористого олова(SnCl 4 ), 60 вес. ч. 96%-ного этилового спирта, 0,5—1 вес. ч. хлористой сурьмы(SbCl 2 ). Другой способ заключается в создании методом термического испарения пленки двуокиси олова споследующим прогревом при постепенно нарастающей температуре. Пленки двуокиси олова обладают хорошей адгезией к изоляционным основаниям, отличаются высокой термостойкостью,стойки к воздействию кислот и щелочей, имеют невысокий ТКр. Изменяя условия проведения процесса и применяя различные добавки,можно в широких пределах изменять сопротивление пленок. Введение окиси цинка в количестве 5—8 вес. ч.позволяет получать пленки с высоким удельным сопротивлением, низким ТКр и хорошей стабильностью в широком интервале температур(210—500° К). Пленки с добавлением окиси цинка, нанесенные методом распыления на предварительно нагретые штабикииз тугоплавкого бесщелочного стекла, имеют сопротивление квадрата пленки 400—2000 Ом и ТКр менее 6x10 -4 1/°. Для создания проводящих пленок с сопротивлением Rкв 1—3000 Ом широко распространены растворы,основными компонентами которых являются SnO 2 , ZnO, Sb 2 O 3 . Для получения проводящих элементов металлоокисных резисторов разработаны технологические установки,на которых одновременно осуществляется изготовление изоляционных оснований в виде стеклянных штабиков,вытягиваемых из расплава тугоплавкого стекла, и нанесение проводящего слоя на движущийся штабик. Сопротивление получаемых заготовок зависит от ряда технологических факторов:температуры разогрева стеклянной нити, концентрации паров исходного раствора в рабочей камере,скорости движения нити через камеру и т. п. Чтобы обеспечить стабильность и небольшой ТКС проводящих элементов, толщина пленок двуокиси оловадолжна быть не менее 10 -5 —10 -6 см. Также для повышения термостабильности в состав пленкивводят окислы сурьмы или цинка, а сами резисторы подвергают специальной термической тренировке. Для создания надежного омического контакта с окисно-оловянной проводящей пленкой используют серебряные пасты. Качество контакта может быть улучшено введением в состав пасты 2—5% моноокиси оловапо отношению к весу твердой фазы пасты. Введение в состав пасты моноокиси олова (SnO) или кремния позволяет также значительно уменьшитьхимическое взаимодействие контакта с окисно-оловянной пленкой и переходное сопротивление. Источники: 1. Ломанович В.А. Справочник по радиодеталям (Сопротивления и конденсаторы). - М., изд-во ДОСААФ, 1965 2. Справочник радиолюбителя. Р. М. Терещук, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, С И. Ногин, В. П. Боровский, А. Б. Чаплинский. В двух частях. Изд. 6-е. "Техника", 1970 3. Рогинский И.Ю. Детали миниатюрной радиоаппаратуры. "Энергия", Л., 1970 (Массовая радиобиблиотека, вып. 748) 4. Мартюшов К.И., Зайцев Ю.В. Технология производства резисторов. Учебн. пособие для специальности "Полупроводники и диэлектрики", М., "Высш. школа", 1972 5. Майоров С. А. и др. Электронные вычислительные машины (справочник по конструированию). Под ред. С. А. Майорова. - М., "Сов. радио", 1975 6. Краткий справочник радиолюбителя. Березовский М.А., Писаренко В.М. - Киев "Технiка", 1975 7. Малогабаритная радиоаппаратура. Справочник радиолюбителя. - Киев "Наукова думка", 1975. 8. Радиодетали, радиокомпоненты и их расчет. Под ред. А.В. Коваля. М., "Сов. радио", 1977 9. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств. Под ред. В.Н. Дулина, М.С. Жука. М., "Энергия", 1977 10. Волгов В.А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977 11. Сопротивления. Справочник. Том 1. ВНИИ "Электронстандарт", 1977. 12. Резисторы: (справочник) / Ю.Н. Андреев, А.И. Антонян, Д.М. Иванов и др.; Под ред. И.И. Четверткова. - М.: Энергоиздат, 1981. 13. Бодиловский З.Г. Справочник молодого радиста: 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1983. (Профтехобразование. Библиотечная серия) 14. Горобец А.И. и др. Справочник по конструированию радиоэлектронной аппаратуры (печатные узлы) / А.И. Горобец, А.И. Степаненко, В.М. Коронкевич. - К.: Технiка, 1985.

Альбом: МОН
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 2 Всего просмотров альбома: 11647
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений МОН
Крупный план: Изображения крупным планом МОН