60 лет отечественному транзистору

Оценка раздела:

0

Категории

60 лет отечественному транзистору picture(23318)

Дата публикации: До 2014-05-28
Просмотров: 1239
Автор: admin

Обсуждение изображения из альбома: 60 лет отечественному транзистору
Источник: источники_информации *155la3

Обсуждение изображения

0

picture(23318)

Оценка изображения

0

Описание изображения: Изображение 60 лет отечественному транзистору Советские электронные компоненты

60 лет отечественному транзистору

- 60 лет отечественному транзистору 60 лет отечественному транзистору Чуть более года назад вся прогрессивная общественность тм поднимала кружки с пивомза первый транзистор, изобретенный Шокли, Бардином и Браттейном. Прошло совсем немного времени и - пора отметить появление транзистора в СССР. История полупроводникового производства в СССР начинается в 1947 году, когда в Томилино была смонтированалиния по производству германиевых детекторов для радиолокации, вывезенная из Германии.Разработками диодов для нее занималась исследовательская группа в НИИ-160 (ныне НПП "Исток )под руководством А. В. Красилова. В декабре 1948 года в институте была поставлена первая НИР по транзисторам. Работа была выполнена Сусанной Гукасовной Мадоян- дипломницей Московского химико-технологического института - и в феврале 1949 года был создан первый в нашей странемакет точечного германиевого транзистора. Именно этот макет и стал первым советским транзистором.С этого момента прошло уже шестьдесят лет... Первый лабораторный образец работал не больше часа, а затем требовал новой настройки. Тогда же Красилов и Мадоян опубликовали первую в Советском Союзе статью о транзисторах,называвшуюся «Кристаллический триод». В 1950 году к работам по транзисторам подключился ЦНИИ-108 МО (ныне ЦНИРТИ ).Исследования транзисторов тогда шли параллельно во многих научных организациях.В начале 50-х годов первые точечные транзисторы были изготовлены В. Е. Лашкаревым в лаборатории приИнституте физики АН Украинской ССР. Экспериментальные образцы также были созданы в 1950 году вФизическом институте Академии наук и Ленинградском физико-техническом институте. К сожалению, в тот период одинаковые открытия делались независимо друг от друга, а их авторы не имелиинформации о достижениях своих коллег. Причиной тому была секретность исследованийв области электроники, имевшей оборонное значение. Так шло до ноября 1952 года, пока не вышел специальный номер радиотехнического журнала США«Труды института радиоинженеров», полностью посвященный транзисторам.В начале 1953 года академик А. И. Берг (будучи тогда заместителем министра обороны) подготовил письмов ЦК КПСС о развитии работ по транзисторам. В мае министр промышленности средств связи М. Г. Первухинпровел в Кремле совещание, посвященное полупроводникам. На нем было принято решение об организации специализированного НИИ. В 1953 году в Москве открывается отраслевой НИИ полупроводниковой электроники (НИИ-35,ныне «Пульсар» ). Туда была переведена лабораторияКрасилова, в которой Мадоян в том же году создала первый в Союзе опытный образец плоскостного(по тогдашней терминологии - слоистого) германиевого транзистора. Эта разработка стала основойсерийных приборов типа П1 , П2 , П3 и их дальнейших модификаций. Первыми серийными транзисторами, выпущенными отечественной промышленностью в конце 1953 года, были точечные триоды типов КС1 - КС8.Первые шесть типов предназначались для использования в усилительных схемах на частотах не свыше 5 МГц (КС6),два последних типа были предназначены для генерирования колебаний до 1,5 МГц (КС7) и до 5 МГц (КС8). В процессе производства первых опытных партий были отработаны некоторые технологические моменты,изменена конструкция триода, разработаны новые методы контроля параметров. Триоды типа КС были сняты с производства, и в НИИ-160 Ф. А. Щиголем и Н. Н. Спиро был начатсерийный выпуск точечных транзисторов С1 - С4. Объем производства составлял несколько десятков штук в день. Первыми промышленными типами плоскостных транзисторов были сплавные германиевые p-n-p транзисторыКСВ-1 и КСВ-2 (в дальнейшем получившие название П1 и П2 ), выпуск которых начался с 1955 года. Перспективы транзисторов тогда были видны не всем.Наоборот, многие считали, что никакого серьёзного применения у них быть не может вследствиеслабой повторяемости параметров и неустойчивости к температурным изменениям.Причина этого - попытка рассматривать транзистор как аналог электровакуумного триода. Как пример - в 1956 году в Совмине состоялось совещание генеральных конструкторов, вынесшее вердикт:«Транзистор никогда не войдет в серьёзную аппаратуру. Перспективой применения транзисторов могутбыть разве что слуховые аппараты. Пусть этим занимается Министерство социального обеспечения».Анекдот, впрочем, достаточно печальный... Однако мнение достаточно быстро менялось. Прогресс был неумолим - в 1956 году были созданы первые кремниевыесплавные транзисторы П104-П106 , в 1956-57 годах - германиевые П401-П403 (30-120 МГц),в 1957 году - П418 (500 МГц)...Транзисторы П401 были использованы в передатчике первого искусственного спутника Земли. Этот период считается началом промышленного выпуска полупроводниковых приборов в СССР.В 1957 году советская промышленность выпустила 2,7 миллионов транзисторов. Впрочем, в этом мы сильно отставали от США, в которых выпуск транзисторов в этом году составлял 28 миллионов штук,а число различных типов достигло 600... апрель 2009

Альбом: 60 лет отечественному транзистору
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 6 Всего просмотров альбома: 15517
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 60 лет отечественному транзистору
Крупный план: Изображения крупным планом 60 лет отечественному транзистору