Путь:
Навигация
- 008
- 03УП-1
- 04 ФН1
- 04АП РХ3-425-003
- 04АП001
- 04АП003
- 04АП005
- 04АП02
- 04АП03
- 04АФ003
- 04АФ004
- 04АФ005
- 04АФ006
- 04ВБ РХ3-430-038
- 04ГС022
- 04ГФ010
- 04ГФ011
- 04ДА01
- 04ДА3
- 04ДП006
- 04ЕМ001
- 04ЕМ002
- 04ЕМ005
- 04ЕМ006
- 04ЕМ008
- 04ЕН004
- 04ЕН013
- 04ЕУ11
- 04ЕУ12
- 04ЕУ13
- 04ИД001
- 04ИК001
- 04ИК004
- 04ИК006
- 04ИП007
- 04КН009
- 04КН01
- 04КН010
- 04КН017
- 04КН18Б
- 04КП02
- 04МП004
- 04НР02
- 04ПВ001
- 04ПМ11
- 04ПМ12
- 04ПМ17-01
- 04ПМ25
- 04ПМ26
- 04ПМ27
- ... еще 1973
Язык [ РУССКИЙ ]
Поиск
Продвинутый поиск
Новые материалы
- Силовые тренировки: Зачем они нужны и как начать? 2026-02-12
- Ученический стул как элемент современной образовательной среды 2026-02-12
- Всеобъемлющее комплексное обеспечение кибербезопасности 2026-02-10
- Войсковая дератизация 2026-02-10
- Альберт Вайсборд американский коммунист биография 2026-02-10
- Документы Альберта и Веры Бух Вайсборд 2026-02-10
- Как на самом деле работает полиция после подачи заявления? 2026-01-26
- Жульен с курицей и грибами: тонкости приготовления и секреты подачи 2026-01-25
- Следственный комитет России завершил расследование крушения самолета Ил-76 2026-01-22
- Пресечение недобросовестной конкуренции 2026-01-21
- Картонные коробки для архивного хранения и переезда: удобство, надежность и практичность 2026-01-14
- Российские ВВС против американских 2026-01-13
- Су-57 показывает высокую боевую эффективность 2026-01-13
- Новый российский космодром 2026-01-13
- Преступления Киева имени Бандеры 2026-01-03
Картинка недели
1В579
Оценка раздела:
0
1В579
- Актив - 1В579 1В579 (он же - R150) (образец с платы компьютера "Эльбрус-90-микро") Микропроцессор производства МЦСТ ,аналог SuperSPARC. Основан на RISC-архитектуре (SPARCV8), технологический процесс 0,35 мкм, тактоваячастота 150 МГц, с одним конвейером команд. Для связи процессоров друг с другом, с модулями памяти иустройствами ввода/вывода в архитектуре SPARC предусмотрена шина МBus -высокоскоростная шина, обеспечивающая когерентность кэш-памяти процессоров вмногопроцессорных структурах. Характеристики микросхемы Размер слов 32 Объем кэш-памяти: L1 IC - 8 Кбайт (2 way) L1 DC - 16 (4 way) L2 C - 1 Мбайт Пропускная способность L2С - 1,2 Гбайт/с Пропускная способность шины MBus - 0,4 Гбайт/с Число транзисторов - 2,8 млн Площадь кристалла - 100 мм 2 Количество слоев металла - 4 Корпус BGA, количество выводов 480 Напряжение питания 3,3 В Рассеиваемая мощность <4 ВтАльбом: 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9471
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9471
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Альбом: 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9471
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 1 Всего просмотров альбома: 9471
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений 1В579
Крупный план: Изображения крупным планом 1В579
Купить: 1В579
Действия над галереей \ выбранными изображениями
Оставить комментарий
Новые альбомы:
Соседние разделы

_1в579.jpg)


