Исторический альманах, портал коллекционеров информации, электронный музей 'ВиФиАй' work-flow-Initiative 16+
СОХРАНИ СВОЮ ИСТОРИЮ НА СТРАНИЦАХ WFI Категории: Актуальное Избранное
Исторический альманах, портал коллекционеров информации, электронный музей

АКТУАЛЬНЫЕ

Законодательные новации сыграли в пользу прозрачности выборов

Недаром Предстоящие выборы в Госдуму называют динамичными, прогрессивными, прозрачными и нестандартными, в результате последних нововведений серьезно повысился уровень доверия к самой избирательной системе, как и к результатам выборов.

Блогерше Марьяне Ро захотелось Сахалин отдать Японцам

21 летняя блогерша Марьяна Рожкова во время интервью с Дмитрием Гордоном, разоткровенничавшись решила отдать Сахалин Японии.

Перспективный ракетоносец лишает противника преимуществ под водой

Стратегический ракетоносец "Юрий Долгорукий" оказался весьма перспективным образцом, по характеристикам превзошедший все остальные образцы подводных лодок стоящих на вооружении России, благодаря своей боевой мощи, функциональности и скрытности.

Спорные села Казахстана обрели официальный статус

Изменены границы Туркестанской области, пограничные села Казахстана обрели официальный статус после 19 лет обсуждений.

Уникальной почве в долине гейзеров дали новую классификацию

Экосистема долина уникальна для России и очень хрупкая, по этому включена в заповедную зону, где за ней осуществляется экологический мониторинг

Путь:

Навигация


Язык [ РУССКИЙ ]

Поиск
Подписка и соц. сети

Подписаться на обновления сайта


Поделиться

Яндекс.Метрика

Новые материалы

Картинка недели

К началуК началу
В конецВ конец
Создать личную галерею (раздел)Создать личную галерею (раздел)
Создать личный альбом (с изображениями)Создать личный альбом (с изображениями)
Создать материалСоздать материал

МОН

Оценка раздела:
Не нравится
0
Нравится

МОН

- Пассив - МОН МОН (М)еталло(О)кисные (Н)изкоомные. Содержат токопроводящий элемент в виде тонкого слоя двуокиси олова,нанесенного на поверхность керамического стержня.Одно время эта технология считалась весьма перспективной, так как термостойкость проводящих пленок унеё более высокая, чем у пленок металлов и сплавов, а технологический процесс получения проводящих элементовобеспечивает непрерывное поточное производство изделий. Справочный лист на них из отраслевого каталога 1970 года. Производитель - Псковский завод радиодеталей (ныне ОАО "Плескава" ). Интересно, что в справочниках помимо обычного, выводного варианта ("а")встречаются и безвыводные "б" и "в"... никогда не встречал таких вживую... Электрические параметры Диапазон выпускаемых номиналов - 1 ... 100 Ом Максимально допустимая рассеиваемая мощность - 0,5 1 и 2 Вт Предельное напряжение - 7, 10 и 15 В (соответственно мощности) Рабочая температура -60 ... +125°С(варианты "б" и "в" до +200°С) Температурный коэффициент сопротивления не более + 5х10 -4 /°С Вероятность безотказной работы в течении 1000ч - 0,99 Гарантийный срок службы - 5000ч Технология производства    Осаждение пленок двуокиси олова на стеклянные и керамические основания производится химическим путем из хлористых соединенийSnCl 2 и SnCl 4 . Кристаллы хлористого олова подвергают гидролизу при 720—730° К.В камеру, нагретую до такой же температуры, впускают пары, образующиеся при гидролизеSnCl 2 . При этом на поверхности вращающихся оснований, помещенных в камеру, образуется пленка двуокиси олова: SnCl 2 + H 2 O -> SnO + 2HCl 2SnO + O 2 -> 2SnO 2 2SnO -> Sn + SnO 2    При использовании четыреххлористого олова его водный раствор с помощью пульверизатора наносится на основания,нагретые до температуры 800—890° К. При этом происходит реакция SnCl 4 + 2H 2 O -> SnO 2 + 4HCl    Тонкие пленки двуокиси олова с высокой проводимостью и хорошей стабильностью получают термическим разложениемраствора следующего состава: 40 вес. ч. четыреххлористого олова(SnCl 4 ), 60 вес. ч. 96%-ного этилового спирта, 0,5—1 вес. ч. хлористой сурьмы(SbCl 2 ).    Другой способ заключается в создании методом термического испарения пленки двуокиси олова споследующим прогревом при постепенно нарастающей температуре.    Пленки двуокиси олова обладают хорошей адгезией к изоляционным основаниям, отличаются высокой термостойкостью,стойки к воздействию кислот и щелочей, имеют невысокий ТКр.    Изменяя условия проведения процесса и применяя различные добавки,можно в широких пределах изменять сопротивление пленок. Введение окиси цинка в количестве 5—8 вес. ч.позволяет получать пленки с высоким удельным сопротивлением, низким ТКр и хорошей стабильностью в широком интервале температур(210—500° К). Пленки с добавлением окиси цинка, нанесенные методом распыления на предварительно нагретые штабикииз тугоплавкого бесщелочного стекла, имеют сопротивление квадрата пленки 400—2000 Ом и ТКр менее 6x10 -4 1/°.    Для создания проводящих пленок с сопротивлением Rкв 1—3000 Ом широко распространены растворы,основными компонентами которых являются SnO 2 , ZnO, Sb 2 O 3 .    Для получения проводящих элементов металлоокисных резисторов разработаны технологические установки,на которых одновременно осуществляется изготовление изоляционных оснований в виде стеклянных штабиков,вытягиваемых из расплава тугоплавкого стекла, и нанесение проводящего слоя на движущийся штабик.    Сопротивление получаемых заготовок зависит от ряда технологических факторов:температуры разогрева стеклянной нити, концентрации паров исходного раствора в рабочей камере,скорости движения нити через камеру и т. п.    Чтобы обеспечить стабильность и небольшой ТКС проводящих элементов, толщина пленок двуокиси оловадолжна быть не менее 10 -5 —10 -6 см. Также для повышения термостабильности в состав пленкивводят окислы сурьмы или цинка, а сами резисторы подвергают специальной термической тренировке.    Для создания надежного омического контакта с окисно-оловянной проводящей пленкой используют серебряные пасты.    Качество контакта может быть улучшено введением в состав пасты 2—5% моноокиси оловапо отношению к весу твердой фазы пасты.    Введение в состав пасты моноокиси олова (SnO) или кремния позволяет также значительно уменьшитьхимическое взаимодействие контакта с окисно-оловянной пленкой и переходное сопротивление. Источники: 1. Ломанович В.А. Справочник по радиодеталям (Сопротивления и конденсаторы). - М., изд-во ДОСААФ, 1965 2. Справочник радиолюбителя. Р. М. Терещук, Р. М. Домбругов, Н. Д. Босый, С И. Ногин, В. П. Боровский, А. Б. Чаплинский. В двух частях. Изд. 6-е. "Техника", 1970 3. Рогинский И.Ю. Детали миниатюрной радиоаппаратуры. "Энергия", Л., 1970 (Массовая радиобиблиотека, вып. 748) 4. Мартюшов К.И., Зайцев Ю.В. Технология производства резисторов. Учебн. пособие для специальности "Полупроводники и диэлектрики", М., "Высш. школа", 1972 5. Майоров С. А. и др. Электронные вычислительные машины (справочник по конструированию). Под ред. С. А. Майорова. - М., "Сов. радио", 1975 6. Краткий справочник радиолюбителя. Березовский М.А., Писаренко В.М. - Киев "Технiка", 1975 7. Малогабаритная радиоаппаратура. Справочник радиолюбителя. - Киев "Наукова думка", 1975. 8. Радиодетали, радиокомпоненты и их расчет. Под ред. А.В. Коваля. М., "Сов. радио", 1977 9. Справочник по элементам радиоэлектронных устройств. Под ред. В.Н. Дулина, М.С. Жука. М., "Энергия", 1977 10. Волгов В.А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Изд. 2-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977 11. Сопротивления. Справочник. Том 1. ВНИИ "Электронстандарт", 1977. 12. Резисторы: (справочник) / Ю.Н. Андреев, А.И. Антонян, Д.М. Иванов и др.; Под ред. И.И. Четверткова. - М.: Энергоиздат, 1981. 13. Бодиловский З.Г. Справочник молодого радиста: 4-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1983. (Профтехобразование. Библиотечная серия) 14. Горобец А.И. и др. Справочник по конструированию радиоэлектронной аппаратуры (печатные узлы) / А.И. Горобец, А.И. Степаненко, В.М. Коронкевич. - К.: Технiка, 1985.
Альбом: МОН
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 2 Всего просмотров альбома: 10526
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений МОН
Крупный план: Изображения крупным планом МОН
Альбом: МОН
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 2 Всего просмотров альбома: 10526
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений МОН
Крупный план: Изображения крупным планом МОН

Купить: МОН

Добавить в корзину \ найти поставщика \ оформить заказ

Действия над галереей \ выбранными изображениями

Оставить комментарий

Новые альбомы:


Адрес страницы: Действительный адрес: https://wfi.lomasm.ru/русский.мон
Разработка страницы завершена на 0%
Используйте средства защиты! Соблюдайте гигиену! Избегайте посещения людных мест!
Операции:
WFI.lomasm.ru исторические материалы современной России и Советского Союза, онлайн музей СССР
Полезные советы...