work-flow-Initiative

Исторический альманах, портал коллекционеров информации, электронный музей

Язык [ РУССКИЙ ]

Соседние разделы


ЭПЛ-1Б

ЭПЛ-1Б picture(24216)

Дата публикации: До 2014-05-28
Просмотров: 2380
Автор:
Обсуждение изображения из альбома: ЭПЛ-1Б
Источник: источники_информации *155la3

Обсуждение изображения

Описание изображения: Изображение ЭПЛ-1Б Советские электронные компоненты

ЭПЛ-1Б

- Пассив - ЭПЛ-1Б ЭПЛ-1Б (фото Дмитрия) Весьма оригинальный прибор - электронно-полупроводниковая лампа ЭПЛ-1Б. Изготовитель - питерская "Светлана" , технические условия - ОД0.331.025 ТУ. Назначение - усиление и формирование коротких (единицы нс) импульсов с выходной мощностью до 750 Вт. Данные из отраслевого справочника на них. ЭПЛ-1А, к примеру, применялась в устройстве быстрой развертки скоростного осциллографа С7-19 . Вот что пишут в инструкции на этот прибор: "ЭПЛ представляет собой гибрид электровакуумной лампы иполупроводникового прибора. ЭПЛ можно рассматривать как транзистор, вкотором электронный луч играет роль элемента, управляющего инжекциейносителей в обратносмещенном полупроводниковом p-n переходе." Электронно-полупроводниковые приборы используют эффект умножения тока в полупроводнике.При бомбардировке полупроводниковой мишени, представляющей собой запертый p-n-переход, электроннымпотоком с энергией порядка 10 кэВ, в мишени происходит умножение электронного тока в сотни раз.Для управления электронным потоком используется управляющая сетка. Диод мишени работает в режимемаксимального приближения к лавинному пробою, поэтому любое заметное уменьшение лавинногонапряжения диода приводит к значительному ухудшению характеристик прибора. Устройство электронно-полупроводниковой лампы: 1, 2 — вход; 3, 4 — катод и его подогреватель; 5 — управляющая сетка; 6 —электронный поток; 7 — полупроводниковая мишень; 8 — источник запирающего напряжения мишени;9 — резистор нагрузки; 10, 11 — выход усилителя, 12 — источник напряжения, ускоряющего электроны Существенным недостатком таких приборов является их малая долговечность.Проведенные исследования показали, что малая долговечность электронно-полупроводниковых приборовопределяется: 1) наличием полупроводниковой мишени в одном объеме с термокатодом;2) бомбардировкой мишени электронами высоких энергий; 3) высокой напряженностью поляна поверхности раздела вакуум — полупроводник; 4) большим средним значением мощности рассеянияна мишени. Ряд мероприятий, среди которых можно отметить применение для мишени специальныхпассивированных диодов и ее обезгаживание с помощью электронной бомбардировки,позволили получить образцы приборов с долговечностью 1000 ч. (фото с форума "Портативногоретрорадио" )
Альбом: ЭПЛ-1Б
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 5 Всего просмотров альбома: 17501
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений ЭПЛ-1Б
Крупный план: Изображения крупным планом ЭПЛ-1Б
Альбом: ЭПЛ-1Б
Источник: источники_информации *155la3
Всего изображений: 5 Всего просмотров альбома: 17501
Показано 12 изображений на странице
Список: Список изображений ЭПЛ-1Б
Крупный план: Изображения крупным планом ЭПЛ-1Б

Остальные материалы раздела: ЭПЛ-1Б

Предыдущая picture(24215)

Адрес страницы: link

Изображение ЭПЛ-1Б Советские электронные компоненты picture(24216)