115ая серия
- Актив - 115ая серия 115ая серия Микромощные резистивно-транзисторные логические схемы. Изготовлены по совмещенной технологиина кристалле кремния, с изоляцией элементов диффузионным переходом. Предназначены для цифровых вычислительных машин и устройств дискретной автоматикис малой потребляемой мощностью. Напряжение питания - плюс 4В. Второе поколение отечественных интегральных логических микросхем, тема"Микроватт" (вместе с 113ой серией ). К115ЛЕ2 Производитель - "Мезон", г.Кишинев (Молдавия) Назначение - два элемента 4ИЛИ-НЕ. Старое название - К1ЛБ152. Справочный лист , а также данные из отраслевого каталога на неё. 115ТР1 Назначение - RS-триггер и элемент 2ИЛИ-НЕ. Используется, в частности в БЦВМ Аргон-16 (системыуправления космических кораблей "Союз", "Прогресс"). Производитель - "Микрон" ,Зеленоград. Корпус - прямоугольный металлостеклянный 401.14-2. Выводы: общий - 14; +Uи.п. - 9 Электрические параметры Потребляемая мощность, не более -12,5 мВт Коэффициент разветвления - 4 Выходное напряжение высокогоуровня, не менее - 0,78 В Выходное напряжение низкогоуровня, не более - 0,20 В Время задержки распространениясигнала - не более 100 нс Выходной ток логической единицы- 285-500 мкА Входной ток логической единицы -не более 75 мкА Помехоустойчивость статическая,не менее - 0,15 В (как-то ...э... безобразномало) Условия эксплуатации Интервал рабочих температур --60...+85 'С Многократное циклическоеизменение температуры - -60...+85 'С Относительная влажность воздуха98% при температуре +40 'С Атмосферное давление - 6,7х10 2 ...3х10 5 Па Вибрация Диапазон частот - 5-5000Гц Ускорение - 40 g Многократные удары с ускорением150 g Линейная нагрузка с ускорением150 g Одиночные удары с ускорением 1000 g Теплофизические параметры Максимально допустимаятемпература корпуса - 105 о С Теплоемкость - 0,7 Дж/К Тепловое сопротивление корпуса -19 К/Вт Данные из отраслевого каталога на неё. Источники: 1. Справочник по интегральныммикросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина. М., "Энергия", 1977. 2. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ.ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977. 3. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980. 4. Справочник по интегральным микросхемам/ Б.В. Тарабрин, С.В. Якубовский, Н.А. Барканов и др.;Под ред. Б.В. Тарабрина. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергия, 1981. 5. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 1. - М.: ИПРадиоСофт, 2001. 6. Динамика радиоэлектроники/ Под общ. ред. Ю.И. Борисова - М.: Техносфера, 2007.Альбом:
115ая серияИсточник:
источники_информации *155la3Всего изображений: 2 Всего просмотров альбома: 9344
Показано 12 изображений на странице
Список:
Список изображений 115ая серияКрупный план:
Изображения крупным планом 115ая серияАльбом:
115ая серияИсточник:
источники_информации *155la3Всего изображений: 2 Всего просмотров альбома: 9344
Показано 12 изображений на странице
Список:
Список изображений 115ая серияКрупный план:
Изображения крупным планом 115ая серия