104ая серия
- Актив - 104ая серия 104ая серия Первая отечественная серия ДТЛ-логики, выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на основе кремния,с диэлектрической изоляцией элементов (тема "Титан"). Предназначена для вычислительных и цифровых устройств. Разработчик - Воронежский ЗПП. "В КБ этого завода в 1964 году началась активная работапо созданию ИС. Группа молодых специалистов (Никишин В.И., Толстых Б.Л., Удовик А.П.,Петров Л.Н., Булгаков С.С., Завальский Ю.П., Хорошков Ю.И., Черников А.И., Горлов М.И.;многие из них стали потом крупными руководителями в электронной промышленности страны)в короткие сроки разработали образцы полупроводниковых ИС, которые к концу 1966 года были переданыв серийное производство." - [7] К104НД1, К104НД2 Трех- и четырехвходовые диодные сборки. Максимальное обратное напряжение на диодах- 4,5 В; прямое падение напряжения на диодах - 0,55...0,9 В. Справочные данные на них из отраслевого каталога на них. Производитель - "Кремний" , Брянск. К104НД1 внутри, несмотря на примитивность схемы (всего три диода с общим анодом),у микросхемы задействованы аж двенадцать выводов. Что бы это значило? Судя по фотографии кристалла, эти сборки представляют собой отбраковкуот К104ЛА4 (или 1ЛБ044, если угодно), где "живой" осталась лишь входная группа диодовв том или ином сочетании. Причем разбраковка производилась уже на этапе проверки готовой продукции;или, по крайней мере, уже после полной разварки кристалла в корпусе.Что добавляет оттенков к рассказам о советских технологиях... Судя по паспорту на К112НД1-К112НД4 ,микросхемы К104НД1-К104НД4 в дальнейшем были переименованы в них. Однако, если взглянуть на кристалл 112НД3 , который совершенной иной, нежели у 104ой серии,станет понятно, что эти микросхемы являются функциональными аналогами друг друга,а не простым результатом переименования... К104ЛА1, 104ЛА2, 104ЛА3 Логические схемы И-НЕ / 2И-НЕ / 3И-НЕ с расширением по И и ИЛИ. Справочные листы на 1ЛБ041..1ЛБ044 и на К104ЛА1-ЛА3 . Производитель - "Кремний" ,Брянск. интересная особенность - ромб военной приемки нанесен не на лицевой, ана тыльной стороне: Источники: 1. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под общ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 3-е, переработ. и доп. М., "Энергия", 1972. 2. Пляц О.М. Справочник по электровакуумным, полупроводниковымприборам и интегральным схемам. - Минск: Вышэйшая школа, 1976 3. Справочник по интегральным микросхемам. Под общ. ред. Б.В.Тарабрина.М., "Энергия", 1977 4. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Подобщ. ред. Н. Н. Горюнова. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., "Энергия", 1977. 5. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. 9-е изд., перераб. К.: Технiка, 1980. 6. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Т. 1. - М.:Радиософт, 2001. 7. Шокин А.А. Министр невероятной промышленности СССР. Страницы биографии. - Москва: Техносфера, 2007.Альбом:
104ая серияИсточник:
источники_информации *155la3Всего изображений: 10 Всего просмотров альбома: 18805
Показано 12 изображений на странице
Список:
Список изображений 104ая серияКрупный план:
Изображения крупным планом 104ая серияАльбом:
104ая серияИсточник:
источники_информации *155la3Всего изображений: 10 Всего просмотров альбома: 18805
Показано 12 изображений на странице
Список:
Список изображений 104ая серияКрупный план:
Изображения крупным планом 104ая серия